2024年2月，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga₂O₃)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片，成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。

6英寸非故意掺杂（上）与导电型（下）氧化镓单晶

6英寸导电型氧化镓衬底

氧化镓(β-Ga₂O₃) 因其优异的性能和低成本的制造成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域具有广阔应用前景。

铸造法是由杨德仁院士团队自主研发，用于生长氧化镓单晶的新型熔体法技术。2022年5月，团队采用铸造法成功生长出2英寸氧化镓单晶。随后由杭州镓仁半导体持续迭代、不断创新，于2023年5月成功生长出4英寸氧化镓单晶。2024年2月就突破了6英寸氧化镓单晶的生长，并实现小批量生产。铸造法具有以下显著优势：第一，铸造法成本低，由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；第二，铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大；第三，铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定坚实基础。未来，团队将继续开展自主创新工作，逐步突破更低成本、更高质量的氧化镓衬底，推动氧化镓产业高质量发展。