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InMarch2026,HangzhouGarenSemiconductorCo.,Ltd.(hereinafterreferredtoas"GARENSEMI")madeamajortechnologicalbreakthroughinepitaxytechnology,successfullyrealizin...
根据《国务院关于修改〈建设项目竣工环境保护管理条例〉的决定》（中华人民共和国国务院令第682号）以及环保部《关于〈建设项目竣工环境保护验收暂行办法〉的公告》（国环规环评[2017]4号）的有关规定。现将杭州镓仁半导体有限公司年产1万片大尺寸高质量氧化镓单晶衬底产业化项目竣工环境保护验收公示如下： 项目...
InFebruary2025,HangzhouGARENSemiconductorCo.,Ltd.(hereinafterreferredtoas"GARENSEMI")achievedanewbreakthroughinthecrystalgrowthandprocessingtechnologyofgalli...
InMarch5,2025,HangzhouGarenSemiconductorCo.,Ltd.(hereafteras‘Garen’)unveiledtheworld’sfirst8-inchβ-Ga2O3 singlecrystal.Usingthefullyindependentandinnovativec...
杭州镓仁半导体引领行业革新，推出高性能氧化镓专用晶体生长设备 2024年9月18日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”），作为超宽禁带半导体氧化镓材料领域的开拓者，发布公司首台氧化镓专用晶体生长设备。该设备不仅满足氧化镓晶体生长的各项需求，还集成了多项自主创新技术，是镓仁半导体实现氧化镓...
2024年8月，杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓衬底加工技术上取得突破性进展，成功研制超薄6英寸衬底，衬底厚度小于200微米。 薄片6英寸氧化镓单晶衬底 氧化镓（β-Ga2O3）具有禁带宽度大、击穿场强高、Baliga品质因数大...
8月6日下午，阳光炽热，杭城荷香四溢，钱塘江畔迎来了一场科技与金融交织的盛会——杭州镓仁半导体有限公司Pre-A轮融资及战略合作签约庆典。此次庆典不仅是镓仁半导体发展历程中的一个重要里程碑，更充分展现了科技创新与金融资本深度融合的广阔前景。 自2022年9月成立以来，镓仁半导体以其在超宽...
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