杭州镓仁半导体引领行业革新，推出高性能氧化镓专用晶体生长设备

 2024年9月 18 日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”），作为超宽禁带半导体氧化镓材料领域的开拓者，发布公司首台氧化镓专用晶体生长设备。该设备不仅满足氧化镓晶体生长的各项需求，还集成了多项自主创新技术，是镓仁半导体实现氧化镓单晶材料技术闭环的新里程碑。

 一个可靠的晶体生长设备在整个产品制造过程中的重要性是毋庸置疑的，它们不仅是生产过程中不可或缺的工具，更是推动技术进步和产业升级的关键因素。随着技术的发展，对设备的要求也越来越高，尤其是在生长新材料如氧化镓时，设备的稳定性和专用性成为了关键因素之一。

 氧化镓作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，具有高耐压、大功率、低功耗的特点，被认为是功率半导体领域的新希望。然而，目前大多数氧化镓设备是非专用的，这意味着这些设备并没有专门为氧化镓材料的特性进行优化设计，因此可能会导致设备可靠性的降低和生产成本的增加。例如，氧化镓材料在高温下容易挥发分解且需要含氧气氛，这对设备来说是一个巨大挑战，在传统半导体材料生长中并不常见。

 镓仁半导体此次推出的氧化镓专用晶体生长设备满足氧化镓生长所需的高温和高氧环境。设备采用非铱（Ir）坩埚材料，可在空气气氛下工作。研发团队自主设计了独特的复合测温技术和控温算法，确保晶体生长过程的稳定性、均匀性和一致性。该设备实现了全自动化晶体生长流程，减少了人工干预，显著提高了生产效率和晶体质量。通过该设备制备的氧化镓晶体为柱状外形，通过工艺控制可获得多种不同晶面的大尺寸单晶，且支持向更大尺寸单晶的升级，以适应不断发展的外延技术和器件需求。镓仁半导体也可以提供多种晶面的生长工艺文件，实现高度个性化的产品定制，满足高校、科研院所、企业客户对氧化镓晶体生长的科研、生产等各项需求。

 镓仁半导体从产业化角度出发，提升专用设备自动化程度，大幅提高氧化镓晶体生长过程可控性的同时，也显著降低单晶制备成本。此成果不仅体现了镓仁半导体在氧化镓晶体材料领域的技术实力，同时也为氧化镓设备行业的发展注入了新的活力。镓仁半导体将持续不懈地投入研发力量，攻克我国所面临的“卡脖子”技术难题，并致力于为客户创造更显著的价值。